Разработка перспективной элементной базы твердотельных устройств миллиметрового диапазона волн на основе эпитаксиальных структур полупроводников А3В5

26.04.2016

Работа посвящена исследованию возможности создания новых типов твердотельных приборов и устройств для генерации и приема электромагнитных волн миллиметрового диапазона на основе эпитаксиальных структур полупроводников группы А3Б5, преимущественно арсенида галлия, включая изучение условий выращивания тонкопленочных структур, эффектов резонансного туннелирования в квантово-размерных гетероструктурах, создания микрополосковых антенн, интегрированных с диодами Шоттки и полевыми транзисторами в виде гибридных и монолитных интегральных схем.

ГРНТИ

47.09.29 Полупроводниковые материалы

47.33.31 Интегральные микросхемы

Ключевые слова

АРСЕНИД ГАЛЛИЯ

ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ

МИЛЛИМЕТРОВЫЕ ВОЛНЫ

МИКРОПОЛОСКОВЫЕ АНТЕННЫ

ДИОДЫ ШОТТКИ

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Детали

Начало

11.01.2016

Окончание

31.12.2018

№ контракта

0030-2015-0172

Заказчик

Федеральное агентство научных организаций

Исполнитель

Фрязинский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова Российской академии наук

Бюджет

Средства федерального бюджета: 9 567 670 ₽

ИКРБС

№ АААА-Б17-217020140125-3, № АААА-Б18-218020690042-2, № АААА-Б19-219041590025-0

РИД

№ АААА-Г17-617091240020-6

Похожие документы

Разработка перспективной элементной базы твердотельных устройств миллиметрового диапазона волн на основе эпитаксиальных структур полупроводников А3В5