НИОКТР
№ АААА-А16-116060710069-1Механизм травления и повреждения нанопористых диэлектрических материалов при пониженных температурах
24.05.2016
В проекте теоретически и экспериментально исследуются такие процессы, как протекание реакций на поверхности пор и глубина модификации поверхности определяется как потоком радикалов, ионов и ВУФ излучения из плазмы, включая их синергетический эффект, так и температурой поверхности. В зависимости от параметров плазмы и температуры поверхности такое взаимодействие может приводить как необратимой деградации свойств пористых материалов, так и быть контролируемым и приводить к необходимой функционализации поверхности, а также обеспечивать прецизионное травление и осаждение, вплоть до протекания процессов на уровне атомного слоя. Нахождение контролируемых условий протекания реакций на поверхности является сложной комплексной задачей, требующей комплексного экспериментально-теоретического исследования процессов, определяющих потоки активных частиц и излучения из плазмы и процессов на поверхности пор при различных температурах. В рамках проекта для выявления механизмов возникновения дефектов в исследуемых пористых материалах при их взаимодействии с плазмой предполагается проведение как целенаправленных экспериментальных исследований на специальном плазмохимическом “downstream plasma” реакторе, оборудованном разными диагностиками, так и в условиях вч плазмы. Для анализа экспериментальных в проекте предполагается использование моделей разного уровня. Для описания процессов в плазме будут использованы самосогласованные модели разрядов с кинетическим описанием всех заряженных (электроны, положительные и отрицательные ионы) и быстрых нейтральных частиц плазмы на основе метода частиц в ячейке с Монте Карло столкновениями (МЧЕ МКС). Модели в объеме плазмы будут дополнены кинетическими моделями на поверхности пленки с учетом случайных блужданий в пористой структуре. Для определения каналов и барьеров поверхностных химических реакций будут применены ab initio квантомеханические расчеты. Детальные комплексные исследования по одновременному контролю параметров плазмы и процессов на поверхности в широком диапазоне температур, проведение которых впервые предполагается в данном проекте, являются ключевыми в технологиях плазменной модификации материалов: функционализации, анизотропном плазмохимическом травлении и плазменном осаждении вплоть до осуществления процессов на атомном уровне.
ГРНТИ
29.27.07 Элементарные процессы в плазме
47.13.33 Электронно-ионноплазменные технологии электронного производства
Ключевые слова
ФИЗИКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЛАЗМЫ
ПЛАЗМЕННАЯ МИКРОТЕХНОЛОГИЯ
НАНОЭЛЕКТРОНИКА
РЕНТГЕНОВСКИЕ ИСТОЧНИКИ
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
ЛИТОГРАФИЯ
Детали
Начало
16.05.2016
Окончание
31.12.2018
№ контракта
16-12-10361
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова», Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В.Скобельцына
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 18 000 000 ₽
Похожие документы
Механизм травления и повреждения нанопористых диэлектрических материалов при пониженных температурах
0.944
НИОКТР
Механизмы воздействия радикалов и ионов низкотемпературной плазмы на наноструктурированные материалы
0.919
Диссертация
Влияние процесса плазмохимического травления на молекулярную структуру и интегральные свойства диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью
0.906
Диссертация
Физические основы микро- и наноразмерного структурирования поверхности диэлектрических и полупроводниковых материалов направленным потоком внеэлектродной плазмы
0.906
НИОКТР
Исследование и сравнительный анализ подходов создания наноструктур
0.906
НИОКТР
-Исследование и разработка многостадийных, циклических процессов плазмохимического травления материалов с атомарным разрешением для формирования многоуровневых систем металлизации суб-10 нм технологии изготовления интегральных схем.
0.905
НИОКТР
Локальное ионно-плазменное травление диэлектриков, инициируемое и контролируемое электронным пучком в форвакуумном диапазоне давлений
0.902
НИОКТР
Локальное ионно-плазменное травление диэлектриков, инициируемое и контролируемое электронным пучком в форвакуумном диапазоне давлений
0.902
НИОКТР
Микро- и нано-масштабные структуры в материалах и процессах энергетики
0.899
ИКРБС
Моделирование формирования наноструктур на поверхности диэлектриков, облучаемых тяжелыми ионами высоких энергий
0.899
НИОКТР