Гибридные структуры на основе полимеров и нанокристаллов для создания тонкопленочных, малогабаритных и альтернативных источников питания

Полупроводниковые квантовые точки (КТ) являются наиболее перспективным материалом для создания высокоэффективных оптоэлектронных устройств. Это связано с тем, что КТ обладают широким спектром поглощения и высокой экстинкцией, и в тоже время перестраиваемым узким спектром (от 20 нм.) люминесценции в широком диапазоне. Кроме того, совмещение их с органическими полупроводниками (ОПП) открывает перспективы создания легких, гибких и дешевых фотоэлектрических и светоизлучающих устройств. При этом, существующие в настоящее время прототипы гибридных систем на базе ОПП и КТ требуют значительного повышения эффективности как прямой (свет - электричество), так и обратной (электричество - свет) конверсии. В последние годы улучшилось понимание физики, лежащие в основе работы оптоэлектронных устройств на основе КТ, а конкретно факторов, которые ограничивают их эффективность. Тем не менее, влияние поверхностного окружения КТ на процессы переноса энергии и заряда в нано-гибридных структурах в значительной степени неясны. Настоящий проект направлен на исследование механизмов процессов переноса энергии и зарядов в нано-гибридных структурах на основе органических полупроводников (PVK, PTB7, PCDTBT, P3HT, PFO) и квантовых точек (CdSe, CdSe/ZnS, CdSe/ZnS/CdS/ZnS, PbS, PbS/CdS/ZnS) в зависимости от типа поверхностного окружения КТ и их концентрации в полупроводнике.