Лазерный синтез наноструктурированных тонких пленок для мемристоров и спиновых вентилей

Получение и исследование материалов, пригодных для спиновых вентилей и мемристоров, является актуальным, так как позволяет создавать компьютерные чипы, обладающие быстродействием и низким энергопотреблением и самообучающиеся системы на их основе. Проведены первые эксперименты с использованием мемристоров для построения полноценного процессора. Спиновые вентили считаются в настоящее время очень перспективными для создания быстрой энергонезависимой памяти, которая в будущем позволит привести к созданию компьютеров нового поколения с существенно более низким энергопотреблением и высокой степенью интеграции. Научная значимость проекта заключается в исследовании зависимости мемристивных свойств тонких пленок оксидов VO2, TiO2, MgO от толщины пленки, области и профиля нестехиометрии оксидной пленки при лазерном осаждении. Эти зависимости позволят понять механизм появления мемристивности при диффузии зарядов в тонких пленках под действием электрического поля. Исследования зависимости температуры Кюри пленок Si1-xMnx от уровня их нестехиометрии позволит выявить механизм высокотемпературного ферромагнетизма в нестехиометрических пленках Si1-xMnx.