Материалы и приборы на основе гетероэпитаксиальных пленок полупроводниковых и ферромагнитных соединений на кремнии

В рамках предлагаемого мультидисциплинарного проекта предполагается провести поиск оптимальной по ширине запрещенной зоны и встраиванию в кремний пары НК узкозонных полупроводников с минимальной дефектностью (структурной – дислокации и электрической – активируемые точечные дефекты) на примере дисилицидов хрома и железа. На их основе создать многослойные структуры с последовательно встроенными НК двух типов: узкозонный (CrSi2) и более широкозонный (beta-FeSi2), разработать и создать p-i-n фотодиоды с широкой областью спектральной чувствительности от 0.4 до 2.5 мкм и значительной обнаружительной способностью (до 6.0×109 см•Гц1/2/Вт) в области от 1.5 до 2.0 мкм при 120 К. Второй задачей проекта является получение новых тонкопленочных ферромагнитных металлических или полуметаллических материалов, эпитаксиально-растущих на кремнии и, в наилучшей степени, пригодных для создания приборов кремниевой спинтроники.