Исследование и разработка конструкций и технологий гетеробиполярных транзисторов на основе гетероструктур арсенида галлия, необходимых для монолитных схем СВЧ-генераторов с ультранизкими фазовыми шумами коротковолновой части сантиметрового диапазона

Объект исследования: конструкции и технологии гетеробиполярных транзисторов на основе гетероструктур арсенида галлия. Цель работы: создание основ технологии гетеробиполярных транзисторов (ГБТ) на основе арсенида галлия, позволяющих изготавливать собственные транзисторы и монолитные интегральные схемы (МИС), обеспечивающие импортозамещение.В результате работы должна быть разработана эскизная конструкторская документация и технологическая документация на изготовление наногетероструктур на основе арсенида галлия для ГБТ; изготовлены экспериментальные образцы наногетероструктур на основе арсенида галлия для ГБТ; разработана эскизная конструкторская и технологическая документация на изготовление экспериментальных образцов ГБТ; изготовлены экспериментальные образцы ГБТ; разработан проект ТЗ на ОКР по теме: «Разработка генератора, управляемого напряжением в диапазоне 4-12 ГГц», подготовлены предложения и рекомендации по реализации (коммерциализации) результатов ПНИЭР.