Разработка технологии создания инвертированных наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs, содержащих наноразмерные вставки AlAs в барьерных слоях, перспективных для создания полупроводниковых устройств крайне высоких частот

- разработка конструкции наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs c одной или несколькими наноразмерными вставками AlAs и с применением инвертированного легирования; -отработка МЛЭ технологии выращивания разработанных наногетероструктур; -исследование и анализ влияния введения наноразмерных слоев AlAs в барьерные слои наногетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs с инвертированным легированием на электрофизические параметры с помощью эффектов Холла и Шубникова – де Гааза; -исследование и анализ влияния введения наноразмерных слоев AlAs в барьерные слои наногетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs с инвертированным легированием с помощью спектроскопии фотолюминесценции; - анализ полученных экспериментальных результатов и установление оптимальных конструкций разрабатываемых наногетероструктур и технологичеких режимов эпитаксиального роста.