Явления переноса в полупроводниках, диэлектриках, гетеропереходах и инверсном слое низкоразмерных структур при внешних воздействиях (давление, магнитное поле, температура, переменное и постоянное электрическое поле)

В ходе исполнения темы НИР будут исследованы термомагнитные эффекты инверсного слоя на поверхности дырочного антимонида индия с целью определения механизма рассеяния и взаимодействия электронов с фононами в двумерном электронном слое. Запланировано исследование частотной и температурной зависимости комплексного сопротивления керамического мультиферроика LuFe2O4 под высоким (до 9ГПа) давлением и в магнитном поле (до 20кЭ) с целью выяснения природы зарядового упорядочения в сегнетоэлектричекой и магнитной фазах образца. Намечено исследование электрофизических параметров структур на основе полупроводников Si, Ge, GaAs, GaP, ZnO при гидростатической и термоупругой деформациях в диапазоне температур 77К-300К. Основные результаты, ожидаемые к концу выполнения, заявленной темы: получение МОП структур на основе p-Geи определение основных характеристик структур при напряжении на затворе до 20V; выяснение влияния температуры и частоты переменного напряжения на электрофизические свойства мультиферроиков; зависимость коэффициента диэлектрической проницаемости прямозонных полупроводников: GaAs, InSb, InAs, InP, GaSb, ZnO, а также непрямозонных полупроводников: n-Ge, n-Si от всестороннего давления, в диапазоне давления 0- 10 GPa.