НИОКТР
№ АААА-А17-117022850081-7Микроструктурные и электронные параметры гетероструктурных тонкопленочных солнечных батарей на основе материалов типа Cu2ZnSn(S,Se)4 и Cu2(Sn,Ge)S3,полученных методом ионного распыления.
07.02.2017
Проект направлен на решение проблемы эффективного преобразования световой энергии в электрическую, в частности, путем генерации и разделения электрон-дырочных пар в гетероструктурах на основе Cu2ZnSn(S,Se)4 и Cu2(Sn,Ge)S3, а также других халькогенидных кристаллических материалов. Тонкопленочные гетероструктуры будут формироваться методом ионного распыления. Будет осуществлен поиск новых халькогенидных кристаллических материалов, пригодных для создания слоя поглотителя.
ГРНТИ
29.19.04 Структура твердых тел
29.19.24 Электронная структура твердых тел
29.19.11 Дефекты кристаллической структуры
Ключевые слова
ПОЛУПРОВОДНИК
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
ТОНКАЯ ПЛЕНКА
ХАЛЬКОГЕНИД
ИОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА
ИНТЕРФЕЙС
СИНТЕЗ
КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА
ЗОННАЯ СТРУКТУРА
Детали
Начало
02.01.2017
Окончание
31.12.2018
№ контракта
16-52-48010
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 1 100 000 ₽
Похожие документы
Сложные Cu-содержащие полупроводники и слоистые структуры для технологичных, экологичных и высоко эффективных ультратонких солнечных элементов
0.966
НИОКТР
Новые функциональные материалы для тонкопленочных преобразователей излучения в электричество на основемногокомпонентных халькогенидов
0.942
НИОКТР
Тонкоплёночные гетероструктуры для солнечных элементов из сульфидов полиметаллов (CuхSnу)S на гибких подложках
0.940
НИОКТР
Однопереходные фотовольтаические гетероструктуры на основе нитрида и карбида кремния
0.938
Диссертация
Создание и исследование однопереходных гетероструктур солнечных элементов на основе широкозонных полупроводников
0.936
ИКРБС
Исследования по поиску путей создания выскоэффективных фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии нового типа
0.936
ИКРБС
Новые функциональные материалы для тонкопленочных преобразователей излучения в электричество на основе многокомпонентных халькогенидов
0.933
ИКРБС
Исследование механизмов формирования оксидных наногетероструктур и разработка эффективных преобразователей солнечной энергии на их основе
0.933
ИКРБС
Двумерные материалы и гетероструктуры на их основе для создания новых типов наноустройств и фотовольтаики третьего поколения
0.930
НИОКТР
Двумерные материалы и гетероструктуры на их основе для создания новых типов наноустройств и фотовольтаики третьего поколения
0.930
НИОКТР