Разработка теоретических и технологических основ создания планарных приборных структур на основе широкозонных полупроводниковых материалов для экстремальной микро- и наноэлектроники в аэрокосмическом приборостроении

Проект связан с разработкой теоретических и технологических основ получения наноструктурированных пленок карбида кремния на изолирующих подложках для производства новых типов электронных компонентов, способных функционировать в экстремальных условиях. Планируется разработать планарные приборные структуры на основе карбида кремния, являющихся основой для разработки интегральных схем на карбиде кремния. Предполагается разработать технологию получения слоев карбида кремния на различных подложках, а также технологии легирования, травления и металлизации полученных слоев. В результате выполнения работы должны быть получены расчетные характеристики планарных приборных структур (p-n-переход, МДП-структуры) на основе карбида кремния и проведен расчет технологических режимов их получения.Результаты НИР могут быть использованы при разработке приборов экстремальной электроники, в том числе СВЧ диапазона, ориентированные на применение в современных видах ВВТ, при производстве датчиков физических величин, предназначенных для работы в экстремальных условиях, миниатюрных быстродействующих полупроводниковых приборов большой мощности интегральных микросхем.