Развитие методов химического осаждения из газовой фазы для получения пленок и структур функциональных материалов

Разработка методик атомно-слоевого осаждения тонких пленок твердых растворов (Sc2O3)x(TiO2)1-x. Исследование температуры фазового перехода m-VO2 ↔ t-VO2 от параметров процесса. Определение влияния восстановительной среды на состав слоев SiCxNyFez,. Кинетические исследования синтеза слоев SiCxNy на металлических подложках. Изучение состава газовой фазы и образующихся пленок в процессе ICP CVD. Синтез наноструктур B-C-N методом PECVD из триэтиламинборана. Разработка промышленно –ориентированной технологии роста пленок SiCN на конструкционных материалах с повышенными скоростями на модернизированной лазерно-плазменной установке. Оптимизация CVD процесса синтеза пленок VO2. Разработка процесса ALD синтеза пленок Hf-Ti-O. Разработка и оптимизация процессов LPCVD, PECVD, ICP CVD синтеза аморфных и нанокристаллических пленок SiCxNyFez, SiCxNyOz, SCxNy:H, BCxNy. Разработка и исследование лазерно-плазмохимического процесса получения твердых покрытий на основе SiCxNy гексаметилдисилазана с жидкими и аэрозольными добавками. Разработка процесса CVD синтеза пленок VO2, легированных Mn. Исследование зависимости свойств пленок двойных оксидов системы Hf-Ti-O от параметров процесса ALD. Синтез и исследование физико-химических и функциональных свойств аморфных и нанокристаллических пленок SiCxNyFez, SiCxNyOz, SCxNy:H, BCxNy. Синтез и изучение физико-химических свойств покрытий SiCxNy при жидкостной подаче прекурсора на основе гексаметилдисилазана