Нанокомпозитные тонкопленочные соединения: формирование, свойства, применения

Проект направлен на разработку и создание физико-химических основ получения и фундаментальные исследования нанокомпозитных тонкопленочных соединений для создания электронных, спинтронных и оптических устройств нового поколения. Разработанная технология позволит получать материалы на основе нанокомпозитных пленок полупроводник-диэлектрик, полупроводник-металл, металл-фуллерит-металл с новыми свойствами. Фундаментальные исследования физико-химических свойств полупроводниковых наночастиц в матрицах активных диэлектриков; многослойных структур ZnSe:Cr ; мультислойных структур с фуллеритовой пленкой. Выявление закономерностей влияния различных технологических параметров на их функциональные свойства. Создание основ для разработки источников рентгеновского излучения нового поколения на основе многослойных пьезотрансформаторов из ниобата лития; спиновых вентилей на основе фуллеритовых структур ; электрически управляемых узкополосных оптических фильтров на основе нанокомпозитных пленок активный диэлектрик-полупроводник; перестраиваемых лазерных сред среднего ИК диапазона на основе селенида цинка.Работы по нанокомпозитным полупроводниковым включениям в матрице активного диэлектрика являются новыми в области тонкопленчного материаловедения и открывают широкие возможности по их применению. Step by step метод однородного легирования полупроводников является новаторским. Портативные рентгеновские источники на основе многослойных ниобатлитиевых структур - основа нового поколения рентгеновских приборов, работающих в полевых условиях. Ипользование фуллеритов С60 в спиновых транзисторах увеличит рабочую частоту до 10 ГГц.