Физико-химические основы базовых элементов перспективных систем технического зрения инфракрасного диапазона спектра

В работе будут исследованы процессы образования окисных слоёв на CdxHg1-xTe (КРТ) и разработаны способы пассивации поверхности гетероструктур на основе узкозонных слоев КРТ с использованием метода атомно-слоевого осаждения. Будут проведены исследования процессов рекомбинации носителей заряда в гетероэпитаксиальных структурах КРТ на альтернативных подложках, установлена связь глубоких генерационно-рекомбинационных уровней с дефектами кристаллической структуры и найдены способы снижения числа дефектных элементов в матричных ИК ФП. Будут разработаны процессы выращивания и исследованы барьерные структуры nBn для создания изотипных фотоприемных матричных структур, работающих в средневолновой и длинноволновой области ИК спектра при повышенных температурах. Будут разработаны процессы контролируемого выращивания как структур с одиночными квантовыми ямами, так и “объемных” твердых растворов с составами близкими к бесщелевой зонной структуре и исследована возможности создания на их основе приемников излучения работающих в области длин волн от дальнего ИК до ТГц и исследованы процессы контролируемого выращивания структур с двойными квантовыми ямами для получения образцов с “конической” зонной структурой, аналогичной графену. Будут разработаны основы проектирования и технологии изготовления крупноформатных (4 и более мегапикселей) ИК ФП на основе слоев КРТ.