Формирование насыщающихся поглотителей на основе халькогенидов висмута для волоконных лазеров с модулированной добротностью методом MOCVD

В последние годы тонкие пленки топологических изоляторов (ТИ), халькогенидов висмута в том числе, становятся наиболее перспективными материалами для формирования насыщающихся поглотителей для волоконных лазеров с модулированной добротностью.Быстродействие, широкополосность, высокая глубина модуляции и относительная простота изготовления выгодно отличает данный тип поглотителей от других типов поглотителей на основе полупроводниковых материалов (SESAMs), графена, углеродных нанотрубок. Продемонстрирована возможность формирования сверхкоротких лазерных импульсов менее 130 fs (OPTICS EXPRESS , v. 22, No. 11, p. 13245, 2014) при их использовании на эрбиевом лазерном волокне. Однако пока отсутствуют хорошо воспроизводимые технологии формирования насыщающихся поглотителей на основе топологических изоляторов на кварцевую поверхность. В основном используется методы механического нанесение порошка объемных монокристаллов или «намазывания» коллоидных взвесей нанокристаллитов ТИ на поверхности лазерного волокна. Данные методы не обеспечивают воспроизводимость покрытий, которая необходима для практического применения.В настоящем проекте насыщающиеся поглотители на основе тонких пленок ТИ, а именно Bi2Se3 и Bi2Te3, впервые будут реализованы методом химического парофазного осаждения из металлоорганических соединений. С целью осуществления высокой воспроизводимости покрытий в процессе их нанесения будет осуществляться in-situ контроль пропускания. Кроме вышеперечисленных материалов ТИ, также будут получены и протестированы в качестве насыщающихся поглотителей пленки других фаз Bi-Se и Bi-Te систем.