Физико-химические основы синтеза новых наноматериалов на основе арсенидов тройных полупроводников ZnGeAs2 и CdGeAs2

Интерес к изучению наноферромагнитных композитов обусловлен разнообразием их практических приложений. Одним из перспективных направлений является создание магнитных переключателей и магнитных холодильников. Такие устройства работают бесшумно, поскольку не имеют подвижных частей, более надежны чем механические аналоги изанимают меньше места, что является критическим параметром для многих современных приборов, от наземных мобильных приложений до глубоководного (АНПА и ОПА) и орбитального оборудования. Для создания таких устройств нужны материалы с температурой Кюри в диапазоне от 233 до 423К. Одним из перспективных составов является MnAs (Тс=40С). MnAs обладает температурным гистерезисом в области фазового перехода (ФП) первого рода. В магнитномполе 1* при монотонном нагревании магнитный ФП происходит при Тс=315-318К, а при охлаждении Тс=308К. Узкий диапазон температур гистирезиса в области магнитного ФП и наличие анизотропии свойств по разным направлениям в кристалле, приводит к необратимости петли температурного гистерезиса. Из литературы известно, что использование твердых растворов MnAsO,99SbO,01 и композита MnAs-клей ПВА позволило обеспечить большее изменение температуры и обеспечить цикличность «нагрев-охлаждение». В данной работе предлагается создать композиты на основе ZnGeAs2 и CdGeAs2 с арсенидом марганца и изучить зависимость концентрации и размера ферромагнитных включений на величину магнитокалометрического эффекта нанокомпозита.