Физико-технологические основы создания различных типов фоточувствительных структур на основе полупроводниковых соединений A2B6, A4B4, A3B5 и фотоприёмников на их основе

Цель работы – разработать физико-технологические основы создания различных типов фоточувствительных структур на основе полупроводниковых соединений A2B6, A4B4, A3B5 и фотоприёмников на их основе.Результаты работы позволят расширить фундаментальные знания о наногетероэпитаксиальных структурах на основе различных полупроводниковых соединений в материальных системах А2В6, А4В4, А3В5 с квантовыми ямами, квантовыми точками и нитевидными нанокристаллами, а также выявить новые направления совершенствования приборов микро- и наноэлектроники, создание новых типов приборов нанофотоники.НИР затрагивает вопросы фундаментальных исследований свойств наногетероструктур, аспекты технологии, диагностики и приборного применения различных полупроводниковых наноструктур, что в перспективе позволит использовать разрабатываемые технологии в производстве, обеспечив этим массовое производство новых приборов наноэлектроникии нанофотоники в следующих областях деятельности:- техника оптической связи и волоконно-оптические системы;- спектроскопия и мониторинг окружающей среды;- тепловидение и приборы ночного видения;- системы мониторинга производственных процессов;- медицинская техника;- радиофотоника.