Разработка физических основ технологии изготовления GaAs и/или InGaAs, выращенных при пониженных температурах роста, для создания генераторов и детекторов ТГц сигнала (0,5-5 ТГц)

- выращивание наноструктур «низкотемпературного» GaAs и/или InGaAs (НТ GaAs и НТ InGaAs) методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100); - исследование временной динамики фотовозбужденных носителей в слое НТ GaAs и НТ InGaAs; - исследование сопротивления образцов НТ GaAs и InGaAs при проведении постростового термического отжига при температурах 500-600 С; - выработка рекомендаций по рекомендации по использованию разработанных низкотемпературных структур для создания генераторов и детекторов ТГц сигнала (0.5-5 ТГц).