НИОКТР
№ АААА-А17-117102470012-8

Исследование возможностей построения и разработка современной отечественной сверхвысокочастотной элементной базы на основе гетероструктурных биполярных транзисторов в части создания супергетеродинных приемных трактов дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн типа сверхбыстродействующая система на кристалле для создания принципиально новых типов аппаратуры, предназначенных для использования в существующих и разрабатываемых летательных аппаратах

12.10.2017

ПНИ направлены на разработку принципиально новой отечественной элементной базы для сверхширокополосных телекоммуникационных систем в части создания перспективных супергетеродинных приемников дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн на основе кремний-германиевых гетероструктурных биполярных транзисторов с граничными частотами более 100 ГГц, что позволит в дальнейшем разработать широкий спектр современной бортовой аппаратуры для существующих и перспективных летательных аппаратов на основе собственной ЭКБ. Поскольку использование в такого рода аппаратуре зарубежной ЭКБ не возможно ввиду полного отсутствия на рынке аналогов, то разработка отечественной продукции такого класса является стратегически важной задачей.
ГРНТИ
47.47.31 Радиоприемные устройства
Ключевые слова
ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ
ТРАНСИМПЕДАНСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
МАЛОШУМЯЩИЙ УСИЛИТЕЛЬ
СМЕСИТЕЛЬ
УМНОЖИТЕЛЬ ЧАСТОТЫ
КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Детали

Начало
26.09.2017
Окончание
31.12.2019
№ контракта
14.574.21.0164
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"
Бюджет
Средства федерального бюджета: 20 000 ₽; Собственные средства организаций: 10 000 ₽
Похожие документы
Исследование возможностей построения и разработка современной отечественной сверхвысокочастотной элементной базы на основе гетероструктурных биполярных транзисторов в части создания супергетеродинных приемных трактов дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн типа сверхбыстродействующая система на кристалле для создания принципиально новых типов аппаратуры, предназначенных для использования в существующих и разрабатываемых летательных аппаратах «ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ» (промежуточный, этап 2)
0.930
ИКРБС
Разработка конструкторско-технологических решений создания электронной компонентной базы на широкозонных полупроводниках для современной радиоэлектронной аппаратуры в диапазоне частот 30 - 60 ГГц. Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач
0.922
ИКРБС
Разработка СВЧ гетероструктурного сверхмалошумящего транзистора диапазона 0,5 - 18 ГГц
0.921
НИОКТР
Исследование и разработка элементов высокоинтегрированных приемных модулей К-диапазона типа "Система на кристалле", выполняемых по кремниевым наногетерструктурным технологиям, для систем связи
0.920
НИОКТР
Разработка интегральной схемы микроволнового диапазона частот для диаграммообразующих модулей АФАР на основе кремниевой технологии
0.915
НИОКТР
Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения
0.914
НИОКТР
Исследование конструктивно технологических принципов построения широкополосных усилительных и генераторных компонентов свч-диапазона на основе широкозонных полупроводников
0.913
ИКРБС
Исследование конструктивно технологических принципов построения широкополосных усилительных и генераторных компонентов свч-диапазона на основе широкозонных полупроводников
0.912
ИКРБС
Исследования по определению перспективных методов и технологических принципов формирования полупроводниковых структур генераторных и усилительных приборов, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц
0.912
НИОКТР
Экспериментальные образцы СВЧ транзисторов на широкозонных полупроводниках
0.910
РИД