Комплексные исследования мультислойных гетероструктур на основе кремния и двух типов нанокристаллов узкозонных полупроводников для оптоэлектроники и термоэлектроники

Цель: создание кремнийсодержащих функциональных материалов с повышенной фотоспектральной чувствительностью в области 1.1 – 2.5 мкм и повышенной термоэлектрической эффективностью.Результаты исследований:Будут выращены мультислойные гетероструктуры с парами встроенных нанокристаллов (НК) b-FeSi2 и CrSi2 в кремнии, получены данные об их структуре и фазовом составе, дефектности матрицы и НК, определены особенности фононной и электронной структуры, установлен край поглощения света в них, механизмы транспорта носителей, рассчитаны оптические функции и найдены пути увеличения эффективности фотопреобразования света и расширения области спектральной чувствительности в область длин волн до 2.5 мкм. Для легированных мультислойных гетероструктур с парами встроенных НК b-FeSi2 и CrSi2 в кремнии будут из данных теоретических расчетов и экспериментальных данных установлены особенности их зонной структуры и определены температурные зависимости проводимости и коэффициента термо-эдс. Будет также установлено влияние легирование кремниевых прослоек между НК на термо-эдс и проводимость выращенных МГС. На основе проведенных исследований будут выработаны критерии оптимизации кристаллической структуры и дефектности НК и слоев в мультислойных гетероструктурах и установление их взаимосвязи с оптическими, электрическими, фотоэлектрическими и термоэлектрическими свойствами для получения оптоэлектронных и термоэлектрических преобразователей с заданными свойствами.