Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия

Объект исследования: СВЧ- транзистор на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия;Целью работы : разработка и проведение технологических операций по изготовлению СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия для оценки их приборно-ориентированных параметров и перспектив применения в ЭКБ частотного диапазона до 10 ГГц.В результате работы должны быть согласованы конструкции ГС, СВЧ- транзисторов и тестовых элементов для оперативного контроля качества ГС и качества выполнения технологических процессов,проведены технологические операции изготовления СВЧ- транзисторов с шириной затвора до 10мм методами оптической литографии.