Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения

Полупроводниковые монолитные интегральные схемы (МИС) миллиметрового диапазона длин волн являются компонентами современных систем телекоммуникации и радиолокации. Благодаря особенностям полупроводниковых соединений группы III-N – значительной ширине запрещенной зоны, высокой подвижности электронов и электрической прочности нитридные СВЧ транзисторы способны работать при высоких температурах и удельной СВЧ мощности. Поэтому технология СВЧ МИС на основе нитридных соединений активно развивается. Настоящий проект направлен на разработку СВЧ МИС с активным элементом – транзистором на основе нитрида индия-алюминия с высокой подвижностью электронов, выращенным на подложке карбида кремния. Технология промышленного производства таких структур в мире в настоящее время практически не разработана. Поэтому разработка отечественной технологии нитридных СВЧ МИС транзисторов открывает возможности создания новой элементной базы для техники наземного и космического применения. При этом повышение рабочей частоты и уровня удельной СВЧ мощности транзистора требует решения ряда технических задач, таких как уменьшение длины затвора, расстояния сток-исток, толщины барьерного слоя в транзисторе и других конструктивных и технологических решений. Для достижения заданных параметров необходимо решение задач по моделированию электрофизических и тепловых процессов в СВЧ МИС транзисторе, выявление механизмов деградации и отказа приборов, а также учета влияния внешних факторов космического пространства. Реализация проекта снизит риск экспортных ограничений и повысит информационную безопасность РФ.