Наногетероструктуры на основе широкозонных короткопериодных сверхрешеток (In,Al,Ga)N.

Цель работы - исследования технологии синтеза и свойств короткопериодных сверхрешеток на основе ширкозонных соединений нитрида галлия (In,Al,Ga)N с использованием конвертирования InGaN в GaN и AlGaN в AlN непосредственно во время эпитаксиального роста, что позволяет создавать ультратонкие слои толщиной менее одного нанометра, реализовывать новые подходы к зонному конструированию и достичь улучшения электрофизических и оптических свойств транзисторных и светоизлучающих наногетероструктур. Будут проведены расчеты зонной структуры транзисторных гетероструктур и активных областей светоизлучающих структур на основе сверхрешеток. Будут изучены свойства сформированных гетероструктур с помощью оптических методов (фотолюминесценция, спектроскопия пропускания), электрофизических методов (измерения эффекта Холла, вольт-емкостные методы) и структурных методов (рентгеноструктурный анализ, просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения и атомно-силовая микроскопия). Исследования структурных свойств выращенных гетероструктур методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения будут выполнены с использованием метода геометрических фаз, позволяющего получить разрешение, достаточное для визуализации формирующихся слоев сверхрешетки и определения планарности интерфейса. Будут создание лабораторные образцы транзисторов и светодиодов для исследования их свойств.