Мультифизическое моделирование полупроводниковых приборов и интегральных схем, работающих в экстремальных условиях Проект РФФИ №18-07-00898-а

Объект исследования: математические модели и методы моделирования совместного влияния факторов различной физической природы в микроэлектронных компонентах: п/п приборах, микросхемах, БИС и СБИС, системах на кристалле и в корпусе, работающих в экстремальных условиях эксплуатации с целью их применения при проектировании электронных изделий с повышенной надежностью и сроком службы.Цели работы: 1. создание наукоёмкого продукта в виде набора математических моделей двух типов: приборно-технологических и схемотехнических для электронных компонентов различного типа;2. создание отечественных многоуровневых подсистем проектирования электронных компонентов для экстремальных условий эксплуатации с учётом указанных эффектов различной физической природы: температуры и радиации. Ожидаемые научные результаты: 1) библиотеки математических моделей электронных полупроводниковых компонентов различного уровня, учитывающие воздействие важных физических процессов и эффектов различной физической природы: - приборно-технологические модели п/п приборов и элементов БИС, встроенные в САПР Sentaurus TCAD и учитывающие влияние низкой, высокой температуры и радиационных воздействий; - схемотехнические модели и методики экстракции их параметров для п/п приборов и элементов БИС, встроенные в библиотеки моделей SPICE-подобных симуляторов, и учитывающие влияние низкой, высокой температуры и радиационных эффектов. 2) конструктивно-технологические и схемотехнические решения компонентов различного уровня, обеспечивающие повышенную тепловую и радиационную стойкость;3) результаты расчёта радиационной и температурной стойкости типовых узлов цифровых и аналоговых ИС и БИС .4) результаты моделирования совместного влияния факторов электрического режима, температуры и радиации на передачу сигналов по проводникам интегральных схем и печатных плат блоков ЭВМ и РЭА экстремальной электроники.