Наногетероструктуры переходной размерности в системе материалов A3B5 для активной области светоизлучающих приборов

В проекте будут решаться задачи по комплексному экспериментальному исследованию основных физических параметров наногетероструктур переходной 0D-2D размерности в системе полупроводниковых материалов (In,Ga,Al)As, выращиваемых методом металло-органической газофазной эпитаксии, их зависимости от технологии роста, а также будут исследоваться полупроводниковые лазеры с новым типом активной области. В результате исследования будет разработан новый тип активной среды для полупроводниковых приборов, сочетающий в себе ряд преимуществ квантовых ям и квантовых точек, исследованы кристаллические, оптические и лазерные свойства. В результате анализа и сопоставления полученных экспериментальных результатов будут обоснованы перспективы использования активной области переходной размерности в светоизлучающих приборах различного типа, в частности, в лазерах, работающих в режиме пассивной синхронизации мод. Такие источники оптических коротких импульсов с большой частотой повторения представляют большой интерес для ряда фундаментальных и практических приложений, в том числе, микроволновой радиофотоники, оптоэлектронных аналого-цифровых преобразователей, дальнометрии, спектрального анализа на основе широкополосного терагерцового возбуждения, генерации высокочастотного тактового сигнала вблизи края поглощения кремния.