Изучение особенностей терморелаксационных процессов в мультибарьерных гетероструктурах на основе GaAs/AlGaAs

Для задач радиолокации, технического зрения и высокоскоростной связи одним из наиболее удобных является миллиметровый диапазон длин волн, в частности, диапазон 8 мм с частотами порядка 35 ГГц. Хорошее пространственное разрешение волн этого диапазона сочетается с высокой проникающей способностью через строительные конструкции, а также малым рассеянием в тумане и пыли. Несмотря на широкий выбор интегральных СВЧ-схем миллиметрового диапазона для телекоммуникационных и радарных применений, представленный на мировом рынке, для отечественной промышленности остается актуальной потребность в компактных генераторах данного диапазона, которые можно интегрировать на едином кристалле GaAs. Исследуемые в рамках предлагаемого проекта мультибарьерные гетероструктуры на основе эпитаксиальных слоев GaAs/AlGaAs перспективны для использования в качестве твердотельных генераторов в миллиметровом и терагерцовом диапазонах. К сожалению, из-за слишком высокого тепловыделения, их использование при комнатной температуре требует применения импульсного питания с высокой скважностью. В настоящее время подробное исследование динамики электротерморазогрева и соответствующей терморелаксации весьма актуально для расширения функциональных возможностей указанных гетероструктур.