Наноструктуры, физика, химия, биология, основы технологии

Предполагается вырастить эпитаксиальные пленки соединений ZnO методом атомно-молекулярного наслаивания (ALD) на подложках нового типа SiC/Si. Методами линейной алгебры будет найден базис из независимых химических реакций в системе топохимического превращения кремния в карбид кремния за счет реакции с монооксидом углерода. На основе этого базиса рассчитана фазовая диаграмма давление — поток, описывающая состав твердой фазы для конкретной конструкции вакуумной печи. При расчете топохимической реакции впервые учтены упругие поля вокруг образующихся вакансий. Будут впервые исследованы оптические свойства пленок SiC/Si, выращенных на подложках кремния следующих ориентаций: SiC/Si(111), SiC/Si(100), SiC/Si(110). Спектры будут определены при помощи ультрафиолетового эллипсометра VUV-VASE/J.A. Woollam с вращающимся анализатором в диапазоне энергий 1.35−9.25 eV. Обработка полученных спектров впервые даст возможность определить политипный состав пленок SiC