Топологически защищенные краевые состояния в низкоразмерных сильнокоррелированных электронных системах в режиме квантовых фазовых переходов

Особенностью данного проекта является программа исследования влияния внешнего магнитного поля, легирования и нестехиометрического беспорядка на зарядовую и спиновую подсистемы в структуре Nd2-xCexCuO4+δ/SrTiO3 (при уменьшении числа CuO2 – слоев), в двумерном слое FeSe композита FeSe/TiSe2 и в мезоскопических квантовых ямах на основе InGaAs для выяснения роли спин-орбитального и электрон-электронного взаимодействий, а также мезоскопических эффектов в проявлении топологически защищенных краевых состояний в низкоразмерных сильнокоррелированных электронных системах в режиме квантовых фазовых переходов. Данные, полученные в результате комплексного экспериментального и теоретического исследований кинетических, гальваномагнитных и магнитных явлений, позволят яснее понять физические основы образования состояний такого рода и перейти к передовым интеллектуальным производственным технологиям, в том числе, к квантовым компьютерам, а также к разработке электронных быстродействующих устройств и их практическому применению.