Разработка требований к элементам новой технологии создания высоковольтных силовых MOSFET приборов на карбиде кремния

14.02.2018

Объект исследования: высоковольтные силовые MOSFET приборы на карбиде кремния.Цель: разработка технологии создания высоковольтных силовых MOSFET приборов на карбиде кремния.Реализация проекта направлена на решение проблемы создания базовой технологии изготовления сложнофункциональных силовых приборов на карбиде кремния, работающих в экстремальных условиях эксплуатации при повышенных температурах и ионизирующем излучении. Данная технология открывает возможность разработок целого класса новых приборов и устройств, а также решения актуальной задачи импортозамещения для приборостроения специального применения, что позволит обеспечить конкурентоспособность авиационной, ракетно-космической отраслей промышленности, автомобильного приборостроения, создание современных средств связи и телекоммуникационной аппаратуры.

ГРНТИ

47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники

47.09.29 Полупроводниковые материалы

47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы

Ключевые слова

СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

КАРБИД КРЕМНИЯ

ТЕХНОЛОГИЯ КАРБИД КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ КАРБИД КРЕМНИЕВЫЕ ДМОП-ТРАНЗИСТОРЫ

Детали

Начало

03.10.2017

Окончание

31.12.2019

№ контракта

Договор № 2704/210

Заказчик

Акционерное общество"Ангстрем"

Исполнитель

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

Бюджет

Средства хозяйствующих субъектов: 12 500 000 ₽

Похожие документы

Исследование и разработка технологии создания высоковольтных силовых MOSFET приборов на карбиде кремния

0.989

НИОКТР

Теоретические и экспериментальные исследования технологических операций

0.955

ИКРБС

Выбор направления исследований

0.944

ИКРБС