-Исследование особенностей эпитаксии GaN на A-срезе сапфира

Целью данного проекта является установление связей между условиями роста, структурными свойствами и электрофизическими характеристиками слоев GaN, выращенных на подложках а-среза сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Будет выполнено сравнение структурных и электрофизических характеристик с «традиционными» слоями GaN на с-срезе сапфира.Предполагается, что в процессе выполнения Проекта будут установлены эпитаксиальные соотношения в плоскости роста GaN(0001)/Al2O3(11-20) и наличие побочных ориентировок. Будет определена величина и анизотропия упругих напряжений в слоях GaN, вызванная как анизотропией подложки, так и влиянием дефектов и легированием слоев GaN кремнием. Будет установлена связь между кристаллическим качеством, морфологией поверхности GaN и условиями роста. Будут получены экспериментальные данные об электрофизических свойствах слоев и гетероструктур на основе GaN, что позволит оценить перспективы использования подложек а-среза сапфира для изготовления транзисторных структур на основе GaN.