Двумерные полупроводники, такие как MoS2, WS2, представляют собой новое семейство материалов с широким потенциалом применения в нано- и оптоэлектронике. Дихалькогениды переходных металлов (MoS2, WS2, WSe2, MoSe2)

Двумерные полупроводники, такие как MoS2, WS2, представляют собой новое семейство материалов с широким потенциалом применения в нано- и оптоэлектронике. Дихалькогениды переходных металлов (MoS2, WS2, WSe2, MoSe2) являются группой слоистых материалов, которые можно расщепить на монослои. Создание и исследование Ван-дер-Ваальсовских гетероструктур на основе MoS2, WS2 и графена является актуальной задачей. В данном проекте планируется проведение синтеза MoS2, WS2 и графеновых пленок химическим осаждением из газовой фазы (метод CVD) на различных подложках. Будут изучены структурные, оптические и электрические свойства полученных двумерных пленок. Также будут измерены зонные структуры и вид дисперсии электронов с помощью фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. Планируется определение элементного состава, химического и электронного состояния атомов на поверхности синтезированных материалов с применением метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Планируется разработка метода переноса синтезированных пленок на гибкие и твердые подложки. Будут проводиться работы по созданию гетероструктур на основе пленок MoS2, WS2 и графена. На основе полученных экспериментальных результатов будут разработаны физико-технологические основы создания Ван-дер-Ваальсовых гетероструктур на основе пленок MoS2, WS2 и графена.