Терагерцовая люминесценция в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке

Предлагается углубленное исследование эмиссии терагерцового излучения из легированных наноструктур с квантовыми ямами в условиях оптического межзонного возбуждения неравновесных носителей заряда. Целью проекта является поиск физических механизмов увеличения интенсивности примесного терагерцового излучения в наноструктурах с легированными квантовыми ямами при межзонном фотовозбуждении неравновесных носителей заряда. Будут проведены исследования терагерцовой фотолюминесценции при межзонной оптической накачке в наноструктурах с квантовыми ямами с легированными донорами рабочими областями с волноводом для ближнего инфракрасного излучения, а также в наноструктурах с квантовыми ямами с легированными донорами рабочими областями при компенсации доноров акцепторами. На основе полученных результатов будет определено влияние стимулированного межзонного излучения и компенсации примесей на интенсивность примесного терагерцового излучения в наноструктурах с легированными квантовыми ямами. Все полученные результаты исследований будут оригинальными и новыми.