Теоретическое и экспериментальное исследование структурных, электронных и магнитных свойств гетероструктур на основе сегнетоэлектрических оксидов

Целью данного проекта является поиск новых алгоритмов построения сложных многокомпонентных материалов с совершенно новыми полезными свойствами, не присущими ни одному из его составляющих. Перспективным направлением для этих целей является построение гетероструктур из сенетоэлектрических оксидов на подложках диэлектриков, у которых, помимо возможности переключения спонтанной поляризации, имеется ряд других полезных свойств, среди них: высокая диэлектрическая проницаемость, диэлектрическая нелинейность, пьезо- и пиро-активность, линейный и квадратичный электрооптические эффекты. В настоящем проекте планируется произвести расчёты из первых принципов методом теории функционала плотности для определения структурных, электронных и магнитных свойств гетероструктур, содержащих оксидные сегнетоэлектрики, исследовать возможности образования двумерного электронного газа (2DEG) на границе раздела составляющих гетероструктуры, изучить влияние внешнего электрического поля, различного рода дефектов на проводящие и магнитные свойства 2DEG. Совокупный анализ полученных теоретических и экспериментальных данных позволит исследовать свойства и физические явления, возникающие в слоистых сенгетоэлектрических оксидах, а также оценить перспективы использования таких материалов в качестве активных сред для устройств функциональной микроэлектроники.