Фотостимулированные явления на интерфейсе сегнетоэлектрика и диэлектрика

Проект направлен на исследование оптическими методами свойств систем с квази-двумерным электронным газом, возникающем на интерфейсе сегнетоэлектрика и диэлектрика, изоструктурном интерфейсам типа BaTiO3/LaMnO3, и на поиск возможностей предсказуемого изменения физических свойств квази-двумерного электронного газа на границе раздела сегнетоэлектрика и диэлектрика путем светового воздействия как на сам интерфейс, так и на приграничную область. В ходе выполнения проекта будут исследованы процессы переключения высокопроводящей области и изменения магнитного состояния на границе сегнетоэлектрика и диэлектрика, изоструктурной интерфейсу BaTiO3/LaMnO3, путем воздействия света, в том числе импульсами длительностью до нескольких десятков фемтосекунд. Особое внимание будет уделено поиску путей реализации обнаруженных свойств в элементной базе высокотехнологичных устройств современной наноэлектроники, а также в новых методах хранения и оптической обработки информации. Будет проведен цикл исследований по моделированию и всестороннему изучению процессов переключения проводящих и магнитных свойств на границе сегнетоэлектрика и диэлектрика, изоструктурных интерфейсам BaTiO3/LaMnO3 и BaTiO3/K0.3MoO3, путем воздействия света на полупроводниковую часть гетероструктуры, и возможности возникновения сверхпроводимости.