Фундаментальные основы прорывных технологий в интересах национальной безопасности.

Разработка и совершенствование новых технологий выращивания кристаллических радиационно стойких матриц активных элементов с легированием ионами Tm, Ho, Yb и др. с целью повышения эффективности лазерной генерации в двухмикронном диапазоне длин волн. Выращивание новых кристаллов активных элементов лазеров. Исследование влияния импульсов электрического поля на люминесценцию ионов железа в сильно-легированных железом методом термодиффузии с поверхности монокристаллах ZnSe выращенных методом Бриджмена в атмосфере аргона при генерации неравновесных носителей тока с помощью межзонной и внутризонной (с длинной волны 0.44-1 мкм). Выращивание радиационностойких Cr3+ -содержащих кристаллов активных элементов. Исследование лазерных сравнительных характеристик различных кристаллов активных элементов. Оптимизация условий выращивания кристаллов активных элементов. Исследование влияния импульсов электрического поля на люминесценцию ионов железа в сильнолегированных железом метод термодиффузии СVD-ZnSe при генерации неравновесных носителей тока с помощью межзонной и внутризонной (с длинной волны 0.44-1 мкм). Поиск способов снижения эффективности окрашивания кристалличских активных элементов. Оценка перспективных путей повышения эффективности лазерной генерации кристаллических лазеров 2-х микронного диапазона. Исследование влияния импульсов электрического поля на люминесценцию ионов железа в выращенных в рекомендованных режимах кристаллов ZnSe.Исследование генерационных характеристик, исследованных в данном проекте кристаллов ZnSe при возбуждении ионов активатора горячими носителями тока.