Полупроводниковые p-n гетероструктуры на основе нанокристаллических оксидов металлов

В предлагаемом проекте планируется проведение исследований электрических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых нанокристаллических оксидов металлов (цинка, вольфрама, кобальта, никеля) с различным типом проводимости, а также гетероструктур на их основе. Объекты исследований будут изготовлены с помощью метода электроспиннинга (электроформирования), позволяющего в широких пределах менять структурные параметры получаемых материалов и формировать как наночастицы различных размеров, так и нановолокна с различной толщиной и пространственной ориентацией. Для исследования структурных свойств будут применены методы рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света и др. Исследования электрических и фотоэлектрических свойств полученных структур позволят получить сведения о механизмах генерации, переноса и рекомбинации свободных носителей заряда в подобных материалах, что, безусловно, вызывает интерес с фундаментальной точки зрения. Изучение p-n гетероструктур на основе нанокристаллических оксидов металлов даст возможность определить влияние структурных параметров исходных оксидов металлов на их электрические и фотоэлектрические свойства. Проведенные в проекте исследования помогут решить задачу создания эффективных p-n гетероструктур на основе оксидов металлов с необходимыми для конкретных приложений параметрами.