Разработка физико-химических основ процессов получения материалов на основе соединений A2B6, в том числе легированных, для фотоники и квантовой электроники

Исследования направлены на решение фундаментальной проблемы создания лазерных сред на основе халькогенидов цинка, легированных ионами переходных металлов и примесями III и I групп, для ближнего и среднего инфракрасного диапазона длин волн с возможностью электрической накачки; изучение влияния технологических факторов процесса выращивания эпитаксиальных слоев СdTe, HgTe и CdxHg1-xTe (КРТ) на подложках из GaAs химическим осаждением из паров ртути и металлоорганических соединений кадмия и теллура (MOCVD-IMP-метод) на морфологию их поверхности. Будут определены и оптимизированы условия получения халькогенидов цинка,легированных оптически и электрически активными примесями и созданы лазерные среды для твердотельных источников когерентного излучения среднего ИК-диапазона, разработаны физико- химические основы MOCVD-выращивания гетероструктур КРТ/GaAs с пониженной поверхностной плотностью ростовых дефектов