Исследования, разработка и создание микроэлектронных приборов СВЧ и ТГц диапазона на основе широкозонных гетероструктур

В работе будет исследовано влияние размещения 2DEG в антиузле стоячей волны, ожидается, что это может привести к сильному поглощению детектирующего ТГц излучения, что будет подтверждено аналитическими расчетами и экспериментальными измерениями частотных зависимостей коэффициентов отражения и ТГц излучения. Также будет изучено влияние металлической шины, соединяющей пальцы решетки и толщины подложки GaAs, на производительность ТГц детектора. Будет продемонстрировано то, что пространственное отделение пальцев затвора от металлизации шины мезарезистором приводит к усилению фотоотклика детектора. Будут разработаны конструкция и технология светоизлучающих диодов со структурированными контактами с целью исследования влияния эффекта Штарка на уширение пиков спектра излучения.