-Исследование и разработка многостадийных, циклических процессов плазмохимического травления материалов с атомарным разрешением для формирования многоуровневых систем металлизации суб-10 нм технологии изготовления интегральных схем.

С переходом к суб-10 нм кремниевой технологии изготовления интегральных схем (ИС) процессы плазмохимического травления их изготовления претерпевают кардинальные изменения. Это связано с необходимостью проведения процессов с атомарным разрешением. Они становятся более сложными, многостадийными. Другое радикальное изменение в технологии связано с использованием новых материалов в качестве материала межсоединений. Медь, которая была основным металлом для формирования дорожек металлизации, заменяется на другой материал. С уменьшением их размеров до единиц нанометров электропроводность Сu увеличивается, и поэтому возникла необходимость ее замены на другие материалы. Среди металлов наиболее перспективными являются рутений, кобальт, возможно, молибден и вольфрам. Целью проекта является исследование и разработка процессов плазмохимического травления Si, SiO2, Ru, тугоплавких металлов с атомарным разрешением для формирования многоуровневой металлизации суб-10 нм технологии. Будут проведены экспериментальные и теоретические исследования механизмов взаимодействия неравновесной хлорсодержащей плазмы c добавками Ar, О2 с поверхностью исследуемых материалов, процессов их низкоэнергетического распыления. Будут разработаны процессы двухстадийного циклического процесса атомарного слоевого травления материалов в новых плазмообразующих смесях. В ходе выполнения проекта будут решаться несколько многоплановых задач, присущих технологическим процессам наноэлектроники. Они связаны: а) с исследованиями параметров плазмы как инструмента влияния на характеристики процессов травления, б) исследованиями гетерогенных процессов взаимодействия плазма-поверхность, в) исследованиями характеристик процессов (скорость, селективность, анизотропность) в зависимости от управляющих параметров. Будут разработаны процессы плазмохимического атомарного слоевого травления нанометровых дорожек металлизации на тестовых структурах. Полученные результаты позволят перейти к разработке промышленных процессов травления материалов изготовления ИС суб-10 нм кремниевой технологии.