Исследования механизмов переключения и влияния ростовых и внесенных дефектов на изменение сопротивления элементов памяти на основе оксидов металлов

Проект направлен на исследование механизмов переключения и влияния ростовых и внесенных дефектов на изменение сопротивления элементов памяти на основе оксидов металлов. Структура аморфного вещества, составляющего активную мемристорную среду, определяет электрические свойства элементов резистивной памяти, изготовленных на ее основе. Особенности структуры аморфных веществ различного состава, синтезированных различными методами, и влияние этих особенностей на электрические характеристики мемристорных сред будут исследованы в данном проекте. Будут исследованы пленки оксида титана TiO(x) с различным стехиометрическим составом и синтезированные различными методами. Также будут исследованы пленки TiN(y)O(x). В ходе работы по проекту будут определены оптимальные технологические параметры для получения мемристорных сред указанного состава с наиболее устойчивыми электрическими характеристиками. Также будет изучено влияние процессов формирования электродов, в том числе и прозрачных, обеспечивающих оптическое считывание состояние резистивного элемента памяти, на электрические свойства активной мемристорной среды.В ходе реализации проекта будут использованы как стандартные методы исследования, такие как рентгеновская рефлектометрия, малоугловое рассеяние рентгеновских лучей, рамановская спектроскопия, спектроскопия поглощения и пропускания, метод поверхностного плазмонного резонанса, так и специально разработанные либо адаптированные под решение поставленных задач.