НИОКТР
№ АААА-А19-119081990023-9Разработка научных основ эпитаксии наногетероструктур AIIIBV для нового поколения ИК-фотоприемных устройств, в том числе и на подложках кремния
09.08.2019
Проект направлен на расширение системы знаний о процессах гетероэпитаксии плёнок соединений AIIIBV на кремниевой подложке, на разработку технологии получения новых материалов для оптоэлектронной компонентной базы. В проекте предполагается разработать технологию получения методом молекулярно-лучевой эпитаксии наногетероструктур In(Ga)Sb(As)/AlInSb на подложках Si для фотоприемников среднего ИК-диапазона. Создание технологии выращивания совершенных слоев AIIIBV на Si, напрямую зависит от понимания механизмов пластической релаксации напряжений в таких гетероструктурах. Эти механизмы до сих пор находятся на стадии дискуссионного обсуждения.
ГРНТИ
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.11 Дефекты кристаллической структуры
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
СОЕДИНЕНИЯ AIIIBV
ПРОТЯЖЕННЫЕ И ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ КРИСТАЛЛА
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Детали
Начало
01.01.2019
Окончание
31.12.2021
№ контракта
0306-2019-0010
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Бюджет
Средства федерального бюджета: 38 030 000 ₽
Похожие документы
Разработка научных основ эпитаксии наногетероструктур AIIIBV для нового поколения ИК-фотоприемных устройств, в том числе и на подложках кремния
1.000
НИОКТР
Разработка научных основ эпитаксии наногетероструктур AIIIBV для нового поколения ИК-фотоприемных устройств, в том числе и на подложках кремния
0.958
ИКРБС
Разработка научных основ эпитаксии наногетероструктур AIIIBV для нового поколения ИК-фотоприемных устройств, в том числе и на подложках кремния
0.951
ИКРБС
Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений AIIIBV и AIVBIV для перспективных применений в оптоэлектронике и кремниевой фотонике
0.943
НИОКТР
Фундаментальные исследования эпитаксиальных гетероструктур для СВЧ микро и наноэлектроники
0.943
НИОКТР
РАЗРАБОТКА НАУЧНЫХ ОСНОВ ЭПИТАКСИИ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AIIIBV ДЛЯ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ ИК-ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ, В ТОМ ЧИСЛЕ И НА ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЯ
0.939
ИКРБС
Разработка и исследование технологий получения и локальной модификации наногетероструктур А3В5 с квантово-размерной активной областью на подложках GaAs и Si для создания микроразмерных источников оптического излучения ближнего ИК-диапазона
0.939
НИОКТР
Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений AIIIBV и AIVBIV для перспективных применений в оптоэлектронике и кремниевой фотонике
0.936
НИОКТР
Эпитаксиальные гетероструктуры A3B5/por-Si с высокими функциональными свойствами: развитие технологии получения и фундаментальные исследования
0.935
НИОКТР
Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства метаморфных наногетероструктур с квантовыми ямами InSb/InAs/In(Ga,Al)As на подложках GaAs для эффективных источников излучения среднего ИК диапазона
0.934
НИОКТР