Структура и механизмы формирования поверхности, границ раздела и дефектов полупроводниковых наносистем

В работе будут развиты новые методы формирования низкоразмерных полупроводниковых наногетеросистем и установлены их атомное строение, электронные, квантовые и оптические свойства. Ожидаемые результаты:- создание трехмерных наноструктур с уникальными топологическими свойствами с применением электронной и ионной нанолитографии и прецизионного плазмохимического травления, а также с использованием эффектов самоорганизации и пространственного упорядочения при эпитаксиальном синтезе низкоразмерных систем;- реалистическое компьютерное моделирование наноматериалов, формируемых при помощи нанолитографии.- создание базовых элементов высокочувствительных сенсорных устройств на основе массивов нанопроволочных транзисторов на поликристаллическом и монокристаллическом кремнии на изоляторе;- установление влияния атомного строения дефектов структуры в кремнии на их люминесцентные свойства;- новые данные об атомном строении и морфологии нанокристаллов прямозонных материалов в матрицах кремния и соединений III-V.