НИОКТР
№ АААА-А19-119092790056-5

Акустоэлектронный транспорт в двумерных системах на основе монослоев дихалькогенидов переходных металлов

26.09.2019

Одним из активно развиваемых направлений исследований в настоящее время является изучение оптических свойств и кинетических эффектов в монослоях различных материалов. В последние время активно изучаются семейство двумерных систем на основе монослоев дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ). Наличие неэквивалентных долин в зоне Бриллюэна, отсутствие центральной симметрии, наличие сильного спин-орбитального взаимодействия приводят к ряду интересных оптических и транспортных свойств ДПМ, в которых долинная степень свободы носителей заряда играет главенствующую роль.Настоящий проект направлен на изучение акустоэлектронного долинного транспорта и акустоиндуцированных резонансных явлений в многодолинных материалах на основе ДПМ. В рамках проекта планируется: 1) изучение эффектов долинного увлечения носителей заряда поверхностными акустическими волнами; 2) разработка теории внутридолинного акустического резонанса; 3) изучение свойств внутридолинных спин-акустических коллективных мод и их проявления в эффекте спинового и циклотронного резонанса.Полученные в рамках проекта результаты будут способствовать разработке методов и подходов для управления долинной степенью свободы носителей заряда и коллективных мод посредством поверхностных акустических волн, что откроет дополнительные возможности в области технических приложений этих материалов в акустоэлектронике.
ГРНТИ
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.03 Теория конденсированного состояния
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
Ключевые слова
АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ
ДИХАЛЬКОГЕНИДЫ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ
ПОВЕРХНОСТНЫЕ АКУСТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ
Детали

Начало
19.04.2019
Окончание
16.04.2021
№ контракта
19-42-540011
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Бюджет
Средства бюджетов субъектов РФ: 400 000 ₽; Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 400 000 ₽
Похожие документы
Электронные процессы в низкоразмерных системах и наноструктурах
0.931
ИКРБС
Квантовое моделирование новых функциональных материалов для перспективной наноэлектроники
0.921
ИКРБС
Электронные процессы в низкоразмерных системах и наноструктурах
0.921
ИКРБС
Квантовое моделирование новых функциональных материалов для перспективной наноэлектроники
0.915
НИОКТР
Гибридные наноструктуры для кватоново-оптических технологий
0.911
НИОКТР
Неравновесные и нелинейные оптические и кинетические явления в монослоях дихалькогенидов переходных металлов
0.909
НИОКТР
Нелинейная нанофотоника в резонансных структурах на основе двумерных материалов
0.908
НИОКТР
Неравновесные и нелинейные оптические и кинетические явления в монослоях дихалькогенидов переходных металлов
0.906
НИОКТР
Электронный транспорт в микро- и наноструктурах при акустическом воздействии
0.906
НИОКТР
Экситонный транспорт в полупроводниковых структурах пониженной размерности
0.901
НИОКТР