Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями.

Предполагается исследование процессов синтеза и создание методик получения прозрачных проводящих структур на основе широкозонных оксидов металлов для систем отображения информации и тонкопленочных солнечных преобразователей, селективных фотоприемников. Будут исследованы процессы формирования низкоразмерных нестехиометричных межзеренных фаз в наноструктурированных оксидных слоях, синтезированных методом магнетронного распыления, а также установлены механизмы протекания тока в многофазных легированных оксидных слоях с заданной структурой, элементным и фазовым составом. Построение соответствующих моделей формирования оптически-прозрачных структур, отличающихся высокой электропроводностью, должно стать основным научным результатом проекта, а уточнение состава материалов и технологических параметров синтеза новых функциональных слоев, отвечающих современным требованиям разработчиков элементов прозрачной электроники, – ее практическим результатом.Предполагаются разработки процессов формирования упорядоченных массивов вискеров на основе ZnO с использованием матричного метода, кристаллизацией из газовой фазы на подложки с регулярными массивами наночастиц катализатора, а также различных композитов на основе ZnO. Назначение таких cистем на основе ZnO -покрытия для многофункциональных бортовых систем отображения информации и солнечных элементов с минимальными величинами коэффициентов отражения света от поверхности, а также элементов фотоники и сенсорики, что предполагает проведение комплекса оптических, спектроскопических и электрофизических исследований. Предполагается исследование процессов синтеза и создание методик получения тонких пленок на основе соединений типа ZnO, V2O5, SmS, ScN, изучение особенностей термоэлектричества и контактных явлений, построение моделей возникновения термоЭДС при нагревании этих материалов в низкоградиентном тепловом поле с учетом гетерогенности пленок по составу, лигатуре, валентному состоянию металлов. Макетирование термоэлектрических устройств.Проведение экспериментов, разработка моделей и выявление механизмов долговременных изменений и релаксации физических свойств (электрических, механических, оптических) диамагнитных кристаллов после кратковременного воздействия на них постоянного или импульсного магнитного полей. Планируется: получениие новых или модифицированных материалов на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов,с улучшенными потребительскими характеристиками для термоэлементов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники;- лабораторные методики синтеза указанных материалов;- новые знания в области кристаллографии, физики твердого тела и фотоники как результат комплексных исследований полученных материалов с учетом условий их синтеза.