-Фундаментальные и прикладные исследования в области создания перспективной элементной базы наноэлектроники 2019

В рамках предлагаемого исследования предполагается решение ряда фундаментальных и прикладных задач, в числе которых:• теоретическое и экспериментальное исследование процессов формирования транзисторных структур с проектной нормой менее 14 нм;• теоретические и экспериментальные исследования в области фундаментальных основ энергонезависимой памяти на основе структур мемристоров и поиск пределов их наноразмерного масштабирования, обеспечивающего сохранение мемристорного эффекта;• исследование возможностей селективного атомно-слоевого осаждения для формирования наноразмерных устройств и функциональных слоев;• теоретическое исследование и разработка новых конструкций туннельных транзисторов, обеспечивающих высокое быстродействие и низкое энергопотребление цифровых интегральных схем;• исследование механизмов формирования проводящих нитей в диэлектрических слоях HfOx и стеках TiOx/HfOx и Al2O3/HfOx и влияния на них условий формирования;• экспериментальное и теоретическое исследование возможностей электронной литографии с термически усиленными резистами;• разработка физических и технологических основ развития перспективной технологии пучков быстрых нейтральных частиц (БНЧ), которая включает в себя исследование, разработку и создание источников пучков БНЧ, диагностических методов для пучков БНЧ и технологических процессов с участием пучков БНЧ.• разработка физических и технологических основ развития перспективной технологии создания логических элементов и СВЧ переключателей, которая включает в себя исследование, разработку технологии и создание перспективной элементной базы вычислительных устройств и СВЧ переключателей.• решение фундаментальной проблемы развития комплексной диагностики современных наноструктурированных магнитных материалов, включая системы однодоменных наночастиц, нанопроволоки и карбиды 3d металлов, с применением ядерно-резонансных и синхротронных методов, а также рентгеновской дифракции, рефлектометрии и магнитные измерения; использование этих методик для контроля технологий синтеза магнитных наноструктур для их применений в микроэлектронике, компьютерной технике, биологии и медицине;• детальное изучение процессов электромиграционной деградации и разрушения проводящих элементов ИС в широком диапазоне плотностей рабочих токов и температур, исследование процессов зарождения микрополостей под действием электромиграции в различных проводящих структурах, в том числе в тройных точках поликристаллической структуры проводника и дефектах, связанных с многоуровневой компоновкой металлизации;• разработка теории, описывающей возникновение критических пространственно-временных изменений формы интерфейсов многослойных структур, приводящих к деградации и разрушению систем металлизации в результате массопереноса, вызванного электромиграцией как в самих интерфейсах, так в объемах соединенных материалов.