Исследование механизмов резистивных переключений для разработки высокоскоростных мемристоров

Данный проект будет направлен на исследование механизмов мемристорных переключений и поиск новых материалов, включая материалы для фазового переключения, с целью реализации устройств на основе резистивных переключений в электронной системе.Предлагаемые исследования можно разделить на 3 задачи:1. Решение фундаментальной проблемы оптимизации свойств сильно коррелированных электронных систем, адаптированных в элементах памяти на резистивных переключениях. Основными объектами исследования будут высокотемпературные сверхпроводники, легированные манганиты, а также окислы металлов.2. Изучение возможности создания мемристора на основе интеркалированных углеродных нанотрубок (УНТ).3. Исследования оксидных систем в сильном электрическом поле с высоким пространственным разрешением при помощи методов зондовой микроскопии. Исследования будут проведены на бинарных соединениях, ВТСП и легированных манганитах.Для корректной интерпретации полученных данных, экспериментальные исследования будут сопровождаться модельными расчетами. Особенностью данного проекта является также проведение исследований с высоким пространственным разрешением.