НИОКТР
№ АААА-А19-119121290123-6Разработка и исследование молекулярных и атомных одноэлектронных транзисторов
10.12.2019
Проект посвящен разработке, изготовлению и исследованию одноэлектронных атомных транзисторов на основе одиночных внутримолекулярных атомарных зарядовых центров, которые могут стать ключевыми элементами при создании атомарно-молекулярных устройств квантовой информатики. . Наиболее хорошо для создания основного звена таких одноэлектронных атомных транзисторов - туннельно-изолированного одноатомного зарядового центра – подходят молекулы координационных соединений металлов с аурофильными производными терпиридина, которые будут использованы в проекте. В результате выполнения проекта будут впервые изготовлены одноэлектронные атомные транзисторы с высокими значениями зарядовой энергии и рабочей температуры на основе атомарных зарядовых центров внутри молекул координационных соединений металлов с аурофильными производными терпиридина, получены фундаментальные знания о ходе и характеристиках процесса коррелированного туннелирования электронов в одноэлектронных атомных транзисторах на основе одиночных внутримолекулярных атомарных зарядовых центров, будут впервые получены фундаментальные знания о связи особенностей диаграмм состояний изготовленных одноэлектронных транзисторов со структурой и свойствами атомарного зарядового центра транзистора. Также в проекте будет впервые разработана методика получения эффективного энергетического спектра выделенных атомов в окружении других атомов и проведено теоретическое исследование влияния окружения на зарядовые, емкостные и энергетические свойства выделенных атомов и, соответственно, на характеристики одноэлектронных транзисторов на их основе, разработана модель туннельного транспорта электронов в одноэлектронных атомных транзисторах на основе выделенных атомарных зарядовых центров внутри молекулы и будут получены фундаментальные знания о механизме электронного транспорта в одноэлектронных атомных транзисторах на основе одиночных внутримолекулярных атомарных зарядовых центров путем сравнения результатов компьютерного моделирования транспортных характеристик и диаграмм состояний одноэлектронных транзисторов на основе одиночных внутримолекулярных атомарных зарядовых центров и этих характеристик с полученными соответствующими экспериментальными данными. Кроме этого, будут сформулированы подходы к теоретическому описанию, проектированию и созданию базовых структурных элементов устройств квантовой информатики на основе изготовленных молекулярно-атомных одноэлектронных транзисторов.
ГРНТИ
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
КОРРЕЛИРОВАННОЕ (ОДНОЭЛЕКТРОННОЕ) ТУННЕЛИРОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
КУЛОНОВСКАЯ БЛОКАДА
ОДНОАТОМНЫЙ ВНУТРИМОЛЕКУЛЯРНЫЙ ЗАРЯДОВЫЙ ЦЕНТР
МОЛЕКУЛЯРНЫЙ ОДНОЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНЗИСТОР
АТОМНЫЙ ОДНОЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНЗИСТОР
АТОМЫ
МОЛЕКУЛЫ
НАНОЛИТОГРАФИЯ
НАНОЭЛЕКТРОНИКА
МОЛЕКУЛЯРНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА.
Детали
Начало
10.01.2019
Окончание
31.12.2021
№ контракта
19-07-01091
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 1 000 000 ₽
Похожие документы
Твердотельные одноатомные структуры как элементы компонентной базы для квантовых технологий
0.936
НИОКТР
Исследования фундаментальных физических свойств объектов наноэлектроники
0.932
НИОКТР
Исследования фундаментальных физических свойств объектов наноэлектроники
0.932
НИОКТР
Исследования фундаментальных физических свойств объектов наноэлектроники
0.932
НИОКТР
Исследование характеристик семейства молекул с выделенным одноатомным зарядовым центром и моделирование работы одноатомного транзистора на их основе
0.920
НИОКТР
Новая элементная база молекулярной наноэлектроники на основе структур с квантовой интерференцией
0.912
НИОКТР
Разработка и изготовление поверхностных ионных ловушек для масштабируемого ионного квантового компьютера
0.897
ИКРБС
Разработка технологических операций атомного масштаба для реализации квантовых элементов (кубитов, квантовых проводов, одноэлектронных транзисторов и др.) из отдельных атомов 31P на поверхности кремния 28Si(100) и отдельных атомов 15N, 35Cl в графене 12C(0001) и моделирование квантового состояния получаемых структур
0.893
НИОКТР
Одноэлектронные эффекты в полевой эмиссии из наноразмерных гетероструктур
0.888
НИОКТР
Исследование физических принципов построения и функционирования перспективных устройств наноэлектроники для создания ЭКБ нового поколения
0.887
ИКРБС