НИОКТР
№ АААА-А20-120020390027-8Светоизлучающие структуры на основе пространственно упорядоченных GeSi квантовых точек, встроенных в оптические микрорезонаторы
03.02.2020
Привлекательностью гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками (КТ) является наличие в их спектрах люминесценции сигнала от КТ при комнатной температуре в телекоммуникационном диапазоне длин волн 1.3-1.6 мкм. Однако существующие экспериментальные данные показывают, что в структурах с GeSi КТ, созданными на основе молекулярно-лучевой эпитаксии, квантовый выход люминесценции значительно меньше единицы. В данном проекте рассматриваются следующие возможные способы повышения эффективности источников света на основе GeSi КТ: упорядочение взаимного расположения КТ и встраивание КТ в оптические микрорезонаторы. Для их практической реализации требуется формирование упорядоченных структур с прецизионным расположением КТ в пространстве и заданным взаимодействием между носителями заряда, локализованными в соседних КТ. Ge/Si структуры с упорядоченными группами КТ будут создаваться на структурированных подложках Si и кремний-на-изоляторе. Будут установлены механизмы формирования пространственно упорядоченных групп из GeSi КТ и определена связь между пространственной конфигурацией КТ и их оптическими свойствами. Структуры с оптимизированной пространственной конфигурацией GeSi КТ будут встраиваться в микрорезонаторы на базе фотонных кристаллов, где за счёт усиления электромагнитного поля на резонансных частотах должно иметь место увеличение скорости излучательной рекомбинации носителей заряда, локализованных на КТ.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.31.23 Люминесценция
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ
ФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ
Детали
Начало
19.04.2019
Окончание
19.04.2021
№ контракта
19-42-540002\19
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 1 500 000 ₽
Похожие документы
Светоизлучающие структуры на основе SiGe квантовых точек, формируемых при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков
0.959
НИОКТР
Управление оптическими свойствами полупроводниковых GeSi гетероструктур c квантовыми точками с помощью встроенных деформационных полей и деформаций, создаваемых внешними источниками
0.956
НИОКТР
Управление оптическими свойствами полупроводниковых GeSi гетероструктур c квантовыми точками с помощью встроенных деформационных полей и деформаций, создаваемых внешними источниками
0.950
ИКРБС
Светоизлучающие нанокристаллы GeSi в германосиликатном стекле для оптоэлектронных устройств, совместимых с планарной кремниевой технологией
0.948
ИКРБС
Светоизлучающие нанокристаллы GeSi в германосиликатном стекле для оптоэлектронных устройств, совместимых с планарной кремниевой технологией
0.945
ИКРБС
Излучательные свойства структур с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками, встроенными в микрорезонаторы на основе фотонных кристаллов.
0.942
НИОКТР
Разработка фотонных кристаллов на основе наноструктур GeSiSn с элементами плазмоники
0.939
НИОКТР
Разработка фотонных кристаллов на основе наноструктур GeSiSn с элементами плазмоники
0.936
НИОКТР
Наногетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками
0.934
ИКРБС
Наногетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками
0.931
ИКРБС