Элементы оптоэлектроники на основе полупроводниковых соединений AIIIBV и прозрачных проводящих слоев из углеродных нанотрубок

Настоящий проект посвящен теоретическим и экспериментальным исследованиям, направленным на получение фундаментального задела в области создания высокоэффективных солнечных элементов (СЭ) и светоизлучающих диодов (СИД) на основе гетероструктур AIIIBV с прозрачными проводящими слоями из углеродных нанотрубок (УНТ). В рамках проекта будет исследована возможность использования УНТ в качестве материала электродов к СЭ и СИД на основе соединений АIIIВV (GaAs, InGaP, GaPN, GaN). В частности, будут исследованы электронные свойства формируемых интерфейсов. Исследование работы оптоэлектронных устройств будет проводиться с использованием слоев УНТ, подвергшимся химическому и/или структурному модифицированию, способствующему более эффективному сбору носителей заряда и вводу/выводу оптического излучения. В ходе выполнения проекта будут разработаны методы интеграции эпитаксиальных гетероструктур АIIIВV и проводящих слоев УНТ, будут созданы и исследованы приборные прототипы, а также определены перспективы использования УНТ для создания светодиодов и высокоэффективных СЭ на основе АIIIВV. Результаты проекта внесут весомый вклад в развитие технологии создания СЭ и СИД с улучшенными характеристиками, позволив осуществить переход от устройств с металлическими токособирающими электродами к более эффективным и технологичным оптоэлектронным приборам с УНТ-электродами.