Мемристивные структуры с эффектом квантования проводимости: особенности резистивного переключения и перспективы использования для создания нейроморфных систем

Данный проект представляет собой комплексное исследование эффекта квантования проводимости (КП) в мемристорах на основе как органических, так и неорганических соединений. Основная задача проекта заключается в установлении механизма КП, в том числе полуцелого, при резистивных переключениях (РП) в изучаемых структурах. Будет проведено численное моделирование РП из первых принципов, в том числе методами DFT. Также будет разработана и исследована теоретическая модель КП с использованием теоретико-полевых методов. Будут выработаны подходы по созданию наноустройств на основе контролируемого КП.