Мемристорные структуры на основе эпитаксиальных слоев SiGe для энергонезависимой резистивной памяти и нейроморфных приложений

14.05.2020

В настоящем проекте планируется цикл комплексных теоретических и экспериментальных исследований механизма РП в мемристорах на базе релаксированных ЭС SiGe/Si(001) в зависимости от их топологии, режимов переключения и др. Для формирования ЭС SiGe/Si(001) планируется применить низкотемпературный метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде моногермана, разработанный авторами проекта. Будут выявлены особенности РП в мемристорах на базе SiGe/Si; установлены зависимости электрических характеристик мемристоров от параметров структур; разработаны физические модели РП, выявлены механизмы деградации мемристоров и предложены способы повышения их стабильности.

ГРНТИ

29.19.31 Полупроводники

29.19.33 Диэлектрики

29.19.11 Дефекты кристаллической структуры

29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры

Ключевые слова

МЕМРИСТОР

РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ

СТАБИЛЬНОСТЬ

КРЕМНИЙ

ГЕРМАНИЙ

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

ДИСЛОКАЦИИ

ИОНЫ МЕТАЛЛОВ

Детали

Начало

15.07.2019

Окончание

15.07.2021

№ контракта

19-29-03026\19

Заказчик

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"

Исполнитель

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского».

Бюджет

Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 18 000 000 ₽

Похожие документы

Мемристорные структуры на основе эпитаксиальных слоев SiGe для энергонезависимой резистивной памяти и нейроморфных приложений

1.000

НИОКТР

Разработка механизма переключения и технологии изготовления элемента памяти мемристорного типа

0.937

ИКРБС

Мемристорные структуры, не требующие формовки, на основе оксидов металлов для сверхбыстродействующих элементов энергонезависимой памяти

0.934

НИОКТР